Модули памяти
Небуферизированный модуль памяти DDR2-800 CL5. Емкость модуля 512 Мб, состоит из 64/128MX8 битных чипов DDR2-800 Synchronous DRAM в упаковке FGBA. Модуль памяти предназначен для установки в сокеты с 240 коннекторами.
Назначение для настольных компьютеров
Объем 1 GB
Количество планок в комплекте 1
Тип DDR3 SDRAM
Стандарт PC3-10600
Эффективная частота, Мгц 1333
Штатные тайминги CL9
Рабочее напряжение, В 1,5
Радиаторы нет
Поддержка EPP нет
Проверка и коррекция ошибок (ECC) нет
Буферизация Unb
Тип памяти - DDR3, Тактовая частота - 1333 Мгц, Объем - 1 модуль 1 Гб
Тип памяти - DDR3, Тактовая частота - 1333 МГц, Объем - 1 модуль 1 Гб
Тип памяти - DDR3, Тактовая частота - 1333 МГц, Объем - 1 модуль 1 Гб
Тип памяти - DDR3, Тактовая частота - 1333 МГц, Объем - 1 модуль 1 Гб
Объем памяти 2 GB
Частота функционирования 1066 MHz
Тип DDR3
Стандарт памяти DDR3 1066
Пропускная способность 8500 MB/sec
Формат SO-DIMM
ОМодель: 2048Mb
Код: TED32048M1333HC9
Объем: 2048Mb
Тип памяти: DDR3
Частота функционирования: 1333MHz, PC3-10660
Латентность: CL9
Тайминги: (9-9-9-24)
Номинальное напряжение: 1.5V
Особенности: Elite
Гарантия, мес: 60
Производитель: Team
Тип памяти DDR3
Форм-фактор DIMM 240-контактный
Тактовая частота 1333 МГц
Объем 1 модуль 2 Гб
Поддержка ECC нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
Дополнительно
Напряжение питания 1.5 В
Модули памяти
Модули памяти
|
![]()
популярные модели
|














